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BU508AW (NPN-Bipolartransistor)

BU508AW (NPN-Bipolartransistor) NXP

BU508AW.pdf
Produktcode: 1971
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Hersteller: NXP
Gehäuse: TO-247
Transitfrequenz fT: 4 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 1500 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 1500 V
Kollektorstrom Ic, A: 8 A
Stromverstärkung h21: 30
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AnzahlPrivatkunde
1+1.34 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BU508AW BU508AW STMicroelectronics 1387cd00153828.pdf Trans GP BJT NPN 700V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+2.23 EUR
82+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
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BU508AW BU508AW STMicroelectronics 1387cd00153828.pdf Trans GP BJT NPN 700V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+2.23 EUR
82+2.11 EUR
120+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
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BU508AW BU508AW STMicroelectronics 1387cd00153828.pdf Trans GP BJT NPN 700V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 6600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.74 EUR
1200+2.36 EUR
3000+2.21 EUR
5400+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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BU508AW BU508AW STMicroelectronics 1387cd00153828.pdf Trans GP BJT NPN 700V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 6600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.74 EUR
1200+2.42 EUR
3000+2.3 EUR
5400+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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BU508AW BU508AW STMicroelectronics BU508AW.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 8A; 125W; TO247-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 700V
Collector current: 8A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.94 EUR
19+4.62 EUR
21+4.15 EUR
25+3.49 EUR
31+2.8 EUR
60+2.46 EUR
120+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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BU508AW BU508AW STMicroelectronics en.CD00153828.pdf Bipolar Transistors - BJT Hi Vltg NPN Pwr transistor
auf Bestellung 1282 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.08 EUR
10+4.96 EUR
100+3.92 EUR
600+3.52 EUR
1200+3.08 EUR
3000+2.75 EUR
5400+2.56 EUR
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BU508AW BU508AW STMICROELECTRONICS SGSTS27608-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - BU508AW - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 700 V, 8 A, 125 W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 700V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 15204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.65 EUR
53+4.43 EUR
100+3.34 EUR
500+3.08 EUR
1000+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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BU508AW BU508AW STMicroelectronics en.CD00153828.pdf Description: TRANS NPN 700V 8A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1.6A, 4.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 700 V
Power - Max: 125 W
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.04 EUR
30+5.03 EUR
120+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BU508AW
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 700V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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82+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
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Trans GP BJT NPN 700V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Trans GP BJT NPN 700V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 6600 Stücke:
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3000+2.21 EUR
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Trans GP BJT NPN 700V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 6600 Stücke:
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 8A; 125W; TO247-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 700V
Collector current: 8A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
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AnzahlPrivatkunde
18+4.94 EUR
19+4.62 EUR
21+4.15 EUR
25+3.49 EUR
31+2.8 EUR
60+2.46 EUR
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Bipolar Transistors - BJT Hi Vltg NPN Pwr transistor
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AnzahlPrivatkunde
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10+4.96 EUR
100+3.92 EUR
600+3.52 EUR
1200+3.08 EUR
3000+2.75 EUR
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BU508AW
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BU508AW - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 700 V, 8 A, 125 W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 700V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1.6A, 4.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 700 V
Power - Max: 125 W
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