Technische Details BU931ZP ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN, Gehäuse: TO-3PN, Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 350 V, Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 350 V, Kollektorstrom Ic, A: 10 A, Stromverstärkung h21: 2000, Bemerkung: Darlington.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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BU931ZP (NPN-Bipolartransistor) Produktcode: 35038
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ST |
 Transistoren > Bipolar-Transistoren NPNGehäuse: TO-3PN Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 350 V Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 350 V Kollektorstrom Ic, A: 10 A Stromverstärkung h21: 2000 Bemerkung: Darlington |
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| BU931ZP (NPN-Bipolartransistor) Produktcode: 35038
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Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-3PN
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 350 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 350 V
Kollektorstrom Ic, A: 10 A
Stromverstärkung h21: 2000
Bemerkung: Darlington
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-3PN
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 350 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 350 V
Kollektorstrom Ic, A: 10 A
Stromverstärkung h21: 2000
Bemerkung: Darlington
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