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Technische Details BUJ103AX,127 NXP USA Inc.
Category: NPN THT transistors, Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 26W; TO220FP, Polarisation: bipolar, Case: TO220FP, Type of transistor: NPN, Kind of package: tube, Mounting: THT, Collector current: 4A, Current gain: 12...32, Power dissipation: 26W, Collector-emitter voltage: 400V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote BUJ103AX,127
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BUJ103AX,127 | Hersteller : WeEn Semiconductors |
 Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 26W; TO220FP Polarisation: bipolar Case: TO220FP Type of transistor: NPN Kind of package: tube Mounting: THT Collector current: 4A Current gain: 12...32 Power dissipation: 26W Collector-emitter voltage: 400V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUJ103AX,127 | Hersteller : WeEn Semiconductors |
Bipolar Transistors - BJT SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR |
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BUJ103AX,127 | Hersteller : WeEn Semiconductors |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 26W; TO220FP Polarisation: bipolar Case: TO220FP Type of transistor: NPN Kind of package: tube Mounting: THT Collector current: 4A Current gain: 12...32 Power dissipation: 26W Collector-emitter voltage: 400V |
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