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BUJ106A,127

BUJ106A,127 WeEn Semiconductors

buj106a.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
Bipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 400V 10A 3Pin(3+Tab)
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Technische Details BUJ106A,127 WeEn Semiconductors

Description: TRANS NPN 400V 10A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1.2A, 6A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 5V, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Power - Max: 80 W.

Weitere Produktangebote BUJ106A,127 nach Preis ab 1.02 EUR bis 1.14 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BUJ106A,127 NXP Semiconductors buj106a.pdf Trans GP BJT NPN 400V 10A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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