BUJ302AD,118 WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited
Hersteller: WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedTrans GP BJT NPN 400V 4A 80000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 0.34 EUR |
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Technische Details BUJ302AD,118 WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BUJ302AD,118 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 80 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, DC-Stromverstärkung hFE: 66, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 80, Übergangsfrequenz ft: -, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 4, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote BUJ302AD,118 nach Preis ab 0.34 EUR bis 2.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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BUJ302AD,118 | Hersteller : WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited |
Trans GP BJT NPN 400V 4A 80000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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BUJ302AD,118 | Hersteller : WeEn Semiconductors |
Description: TRANS NPN 400V 4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 250mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 800mA, 3V Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUJ302AD,118 | Hersteller : WeEn Semiconductors |
Bipolar Transistors - BJT NPN 400 V 4 A |
auf Bestellung 2131 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUJ302AD,118 | Hersteller : WeEn Semiconductors |
Description: TRANS NPN 400V 4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 250mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 800mA, 3V Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W |
auf Bestellung 9079 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUJ302AD,118 | Hersteller : WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited |
Trans GP BJT NPN 400V 4A 80000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUJ302AD,118 | Hersteller : WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited |
Trans GP BJT NPN 400V 4A 80000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUJ302AD,118 | Hersteller : WeEn Semiconductors |
BUJ302AD.118 NPN SMD transistors |
auf Bestellung 716 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BUJ302AD,118 | Hersteller : WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BUJ302AD,118 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 80 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 66 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 80 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 4 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
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