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BUJ403A,127

BUJ403A,127 WeEn Semiconductors

buj403a.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
Bipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 550V 6A 3-Pin(3+Tab)
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Technische Details BUJ403A,127 WeEn Semiconductors

Description: TRANS NPN 550V 6A TO220AB, Power - Max: 100 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 550 V, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Supplier Device Package: TO-220AB, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BUJ403A,127 NXP Semiconductors buj403a.pdf Trans GP BJT NPN 550V 6A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 3000 Stücke:
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973+0.67 EUR
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Mindestbestellmenge: 973 Stücke
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BUJ403A,127 buj403a.pdf
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Trans GP BJT NPN 550V 6A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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