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BUJD203A,127 NXP USA Inc.

Name: BUJD203A,127
Brand: NXP USA Inc.
SKU: 13860618-3
Price: 499.40 EUR
Availability: InStock

PHGLS21815-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Hersteller: NXP USA Inc.
Description: TRANS NPN 425V 4A TO-220AB
Power - Max: 80 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 425 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: TO-220AB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 11 @ 2A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk

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Technische Details BUJD203A,127 NXP USA Inc.

Description: TRANS NPN 425V 4A TO-220AB, Power - Max: 80 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 425 V, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Supplier Device Package: TO-220AB, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 11 @ 2A, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Bulk.

Weitere Produktangebote BUJD203A,127

Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
BUJD203A,127	WeEn Semiconductors	Description: TRANS NPN 425V 4A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 11 @ 2A, 5V Supplier Device Package: TO-220AB Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 425 V Power - Max: 80 W	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BUJD203A,127	WeEn Semiconductors	Bipolar Transistors - BJT NPN 425 V 4 A	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BUJD203A,127	WeEn Semiconductors	Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 425V; 4A; 80W; TO220AB Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Type of transistor: NPN Kind of package: tube Collector current: 4A Current gain: 11...22 Collector-emitter voltage: 425V Power dissipation: 80W Polarisation: bipolar Case: TO220AB Mounting: THT	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BUJD203A,127

Hersteller: WeEn Semiconductors
Description: TRANS NPN 425V 4A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 11 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 425 V
Power - Max: 80 W

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BUJD203A,127

Hersteller: WeEn Semiconductors
Bipolar Transistors - BJT NPN 425 V 4 A

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BUJD203A,127

Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 425V; 4A; 80W; TO220AB
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: NPN
Kind of package: tube
Collector current: 4A
Current gain: 11...22
Collector-emitter voltage: 425V
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Case: TO220AB
Mounting: THT

Produkt ist nicht verfügbar

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