BUJD203A,127 WeEn Semiconductors
Hersteller: WeEn Semiconductors
Description: TRANS NPN 425V 4A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 11 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 425 V
Power - Max: 80 W
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Technische Details BUJD203A,127 WeEn Semiconductors
Description: TRANS NPN 425V 4A TO-220AB, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 11 @ 2A, 5V, Supplier Device Package: TO-220AB, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 425 V, Power - Max: 80 W.
Weitere Produktangebote BUJD203A,127
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| BUJD203A,127 | WeEn Semiconductors |
Bipolar Transistors - BJT NPN 425 V 4 A |
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BUJD203A,127 | WeEn Semiconductors |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 425V; 4A; 80W; TO220AB Mounting: THT Collector-emitter voltage: 425V Power dissipation: 80W Polarisation: bipolar Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Type of transistor: NPN Current gain: 11...22 Kind of package: tube Case: TO220AB Collector current: 4A |
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| BUJD203A,127 |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
Bipolar Transistors - BJT NPN 425 V 4 A
Bipolar Transistors - BJT NPN 425 V 4 A
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| BUJD203A,127 |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 425V; 4A; 80W; TO220AB
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 425V
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: NPN
Current gain: 11...22
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Collector current: 4A
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 425V; 4A; 80W; TO220AB
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 425V
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: NPN
Current gain: 11...22
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Collector current: 4A
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