BUK4D110-20PX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 7.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 3.4A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 6.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
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Technische Details BUK4D110-20PX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK4D110-20PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.7 A, 0.075 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 7.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.5W, Bauform - Transistor: DFN2020MD, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 8V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote BUK4D110-20PX nach Preis ab 0.31 EUR bis 1.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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BUK4D110-20PX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK4D110-20PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.7 A, 0.075 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 7.5W Bauform - Transistor: DFN2020MD Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK4D110-20PX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK4D110-20PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.7 A, 0.075 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 7.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 7.5W Bauform - Transistor: DFN2020MD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK4D110-20PX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK4D110-20PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.7 A, 0.075 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.5W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: NEXPERIA - BUK4D110-20PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.7 A, 0.075 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 224+ | 1.12 EUR |
| 285+ | 0.81 EUR |
| 470+ | 0.45 EUR |
| 610+ | 0.36 EUR |
| 1000+ | 0.31 EUR |
| BUK4D110-20PX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK4D110-20PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.7 A, 0.075 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.5W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: NEXPERIA - BUK4D110-20PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.7 A, 0.075 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 224+ | 1.12 EUR |
| 285+ | 0.81 EUR |
| 470+ | 0.45 EUR |
| 610+ | 0.36 EUR |
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