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BUK4D60-30X

BUK4D60-30X Nexperia USA Inc.

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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
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Technische Details BUK4D60-30X Nexperia USA Inc.

Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 8.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4.2A, 8V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 7.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 296 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

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BUK4D60-30X BUK4D60-30X Nexperia BUK4D60-30.pdf MOSFETs BUK4D60-30/SOT1220/SOT1220
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BUK4D60-30X BUK4D60-30X NEXPERIA 3106907.pdf Description: NEXPERIA - BUK4D60-30X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.045 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8.3
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 7.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900
Verlustleistung: 7.5
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Rds(on)-Prüfspannung: 8
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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BUK4D60-30X BUK4D60-30X NEXPERIA 3106907.pdf Description: NEXPERIA - BUK4D60-30X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.045 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 7.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK4D60-30X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.045 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8.3
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 7.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900
Verlustleistung: 7.5
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
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Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK4D60-30X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.045 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 7.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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