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BUK6D23-40EH

BUK6D23-40EH Nexperia

buk6d23-40e.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 8A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BUK6D23-40EH Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK6D23-40EH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.017 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: DFN2020MD, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BUK6D23-40EH BUK6D23-40EH NEXPERIA BUK6D23-40E.pdf Description: NEXPERIA - BUK6D23-40EH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.017 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+1.19 EUR
305+0.76 EUR
409+0.52 EUR
519+0.42 EUR
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BUK6D23-40EH BUK6D23-40EH NEXPERIA BUK6D23-40E.pdf Description: NEXPERIA - BUK6D23-40EH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.017 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 975 Stücke:
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210+1.19 EUR
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BUK6D23-40EH BUK6D23-40EH Nexperia USA Inc. BUK6D23-40E.pdf Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 582 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
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BUK6D23-40EH
Hersteller: NEXPERIA
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Anzahl der Pins: 6Pin(s)
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK6D23-40EH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.017 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 582 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
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15+1.49 EUR
23+0.93 EUR
50+0.68 EUR
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