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Technische Details BUK6D23-40EH Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK6D23-40EH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.017 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: DFN2020MD, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote BUK6D23-40EH nach Preis ab 0.3 EUR bis 1.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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BUK6D23-40EH | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
 Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOTPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 582 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BUK6D23-40EH | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK6D23-40EH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.017 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: DFN2020MD Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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BUK6D23-40EH | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK6D23-40EH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.017 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK6D23-40EH | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 8A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUK6D23-40EH | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 582 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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