BUK6D77-60EX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 3.4A/10.6A 6DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 18.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details BUK6D77-60EX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK6D77-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10.6 A, 0.059 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 18.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 18.8W, Bauform - Transistor: DFN2020MD, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.059ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote BUK6D77-60EX nach Preis ab 0.2 EUR bis 1.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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BUK6D77-60EX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK6D77-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10.6 A, 0.059 ohm, DFN2020MD, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 18.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 18.8W Bauform - Transistor: DFN2020MD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.059ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 99835 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK6D77-60EX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK6D77-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10.6 A, 0.059 ohm, DFN2020MD, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 18.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 18.8W Bauform - Transistor: DFN2020MD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.059ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 99835 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK6D77-60EX | Nexperia |
MOSFETs SOT1220 N-CH 60V 3.4A |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK6D77-60EX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 3.4A/10.6A 6DFNQualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 18.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 10.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 4814 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK6D77-60EX | Nexperia |
60 V, N-channel Trench MOSFET BUK6D77-60EX BUK6D77-60EX TBUK6d77-60exAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BUK6D77-60EX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK6D77-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10.6 A, 0.059 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 18.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18.8W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.059ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: NEXPERIA - BUK6D77-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10.6 A, 0.059 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 18.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18.8W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.059ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 99835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 255+ | 0.99 EUR |
| 314+ | 0.74 EUR |
| 459+ | 0.46 EUR |
| 614+ | 0.35 EUR |
| 1000+ | 0.26 EUR |
| 3000+ | 0.24 EUR |
| 6000+ | 0.21 EUR |
| 12000+ | 0.2 EUR |
| BUK6D77-60EX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK6D77-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10.6 A, 0.059 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 18.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18.8W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.059ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: NEXPERIA - BUK6D77-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10.6 A, 0.059 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 18.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18.8W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.059ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 99835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 255+ | 0.99 EUR |
| 314+ | 0.74 EUR |
| 459+ | 0.46 EUR |
| 614+ | 0.35 EUR |
| 1000+ | 0.26 EUR |
| 3000+ | 0.24 EUR |
| 6000+ | 0.21 EUR |
| 12000+ | 0.2 EUR |
| BUK6D77-60EX |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT1220 N-CH 60V 3.4A
MOSFETs SOT1220 N-CH 60V 3.4A
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.44 EUR |
| 10+ | 0.88 EUR |
| 50+ | 0.64 EUR |
| 100+ | 0.56 EUR |
| 1000+ | 0.42 EUR |
| 3000+ | 0.32 EUR |
| 6000+ | 0.3 EUR |
| BUK6D77-60EX |
![]() |
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 3.4A/10.6A 6DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 18.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 60V 3.4A/10.6A 6DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 18.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4814 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15+ | 1.44 EUR |
| 24+ | 0.9 EUR |
| 50+ | 0.65 EUR |
| 100+ | 0.57 EUR |
| BUK6D77-60EX |
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Hersteller: Nexperia
60 V, N-channel Trench MOSFET BUK6D77-60EX BUK6D77-60EX TBUK6d77-60ex
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
60 V, N-channel Trench MOSFET BUK6D77-60EX BUK6D77-60EX TBUK6d77-60ex
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 1.4 EUR |



