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BUK7212-55B,118

BUK7212-55B,118 Nexperia

4377426087161964buk7212-55b.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 83A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Technische Details BUK7212-55B,118 Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK7212-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0102 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 185°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BUK7212-55B,118 BUK7212-55B,118 Nexperia 4377426087161964buk7212-55b.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 83A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 100000 Stücke:
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BUK7212-55B,118 BUK7212-55B,118 NEXPERIA PHGLS22430-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK7212-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0102 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 185°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 9166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.22 EUR
106+2.02 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.26 EUR
5000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BUK7212-55B,118 BUK7212-55B,118 Nexperia USA Inc. BUK7212-55B.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 75A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2453 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1093 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.06 EUR
10+2.61 EUR
100+1.77 EUR
500+1.42 EUR
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BUK7212-55B,118 BUK7212-55B,118 NEXPERIA PHGLS22430-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK7212-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0102 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 185°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 9166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.43 EUR
72+3.22 EUR
106+2.02 EUR
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1000+1.26 EUR
5000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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BUK7212-55B,118
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 83A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7212-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0102 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
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Dauer-Drainstrom Id: 75A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 185°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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BUK7212-55B,118
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 75A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2453 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1093 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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6+4.06 EUR
10+2.61 EUR
100+1.77 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7212-55B,118 PHGLS22430-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK7212-55B,118
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7212-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0102 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 185°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 9166 Stücke:
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47+5.43 EUR
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106+2.02 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.26 EUR
5000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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