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BUK7575-55A,127

BUK7575-55A,127 NXP Semiconductors

PHGLS22290-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA BUK7575 - N-CHANNEL MO
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 483 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
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Technische Details BUK7575-55A,127 NXP Semiconductors

Description: NEXPERIA BUK7575 - N-CHANNEL MO, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 483 pF @ 25 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 62W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.3A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Bulk.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BUK7575-55A,127 NXP Semiconductors BUK7575-55A.pdf PHGLS22290-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 55V 20.3A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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BUK7575-55A,127 NEXPERIA PHGLS22290-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NEXPERIA - BUK7575-55A,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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