Technische Details BUK7608-55A,118 Nexperia
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4352 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 0 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: D2PAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 254W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote BUK7608-55A,118 nach Preis ab 1.8 EUR bis 3.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK7608-55A,118 | Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 55V 126A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||
 |
BUK7608-55A,118 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 254W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 0 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4352 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 1160 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||
 |
BUK7608-55A,118 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7608-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 Dauer-Drainstrom Id: 75 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 254 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TrenchMOS Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0068 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
auf Bestellung 102 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| BUK7608-55A,118 |
|
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 126A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 126A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 346+ | 1.9 EUR |
| 500+ | 1.8 EUR |
| BUK7608-55A,118 |
|
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 0 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4352 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 0 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4352 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 313+ | 1.93 EUR |
| BUK7608-55A,118 |
|
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7608-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 254
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0068
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Description: NEXPERIA - BUK7608-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 254
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0068
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 67+ | 3.77 EUR |
| 85+ | 2.74 EUR |