BUK7613-100E,118 Nexperia
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details BUK7613-100E,118 Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK7613-100E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 72 A, 0.0102 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 72A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 182W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 182W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0102ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote BUK7613-100E,118 nach Preis ab 1.42 EUR bis 5.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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BUK7613-100E,118 | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 100V 72A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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BUK7613-100E,118 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 72A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 182W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4533 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK7613-100E,118 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 72A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 182W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4533 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 6320 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK7613-100E,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7613-100E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 72 A, 0.0102 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 182W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 182W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0102ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1928 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK7613-100E,118 | Hersteller : Nexperia |
MOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET |
auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK7613-100E,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 72A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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