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BUK78150-55A/CUX

BUK78150-55A/CUX Nexperia

4376101340989826buk78150-55a.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 5.5A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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Technische Details BUK78150-55A/CUX Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK78150-55A/CUX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.5 A, 0.128 ohm, SC-73, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 8W, Bauform - Transistor: SC-73, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.128ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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BUK78150-55A/CUX BUK78150-55A/CUX Hersteller : Nexperia 4376101340989826buk78150-55a.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 5.5A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BUK78150-55A/CUX BUK78150-55A/CUX Hersteller : Nexperia 4376101340989826buk78150-55a.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 5.5A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BUK78150-55A/CUX BUK78150-55A/CUX Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK78150-55A.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BUK78150-55A/CUX BUK78150-55A/CUX Hersteller : NEXPERIA BUK78150-55A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; Idm: 22A; 8W; SC73,SOT223
Kind of package: reel; tape
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.8A
On-state resistance: 278mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 8W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 549 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
224+0.32 EUR
246+0.29 EUR
302+0.24 EUR
321+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 129
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BUK78150-55A/CUX BUK78150-55A/CUX Hersteller : NEXPERIA BUK78150-55A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; Idm: 22A; 8W; SC73,SOT223
Kind of package: reel; tape
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.8A
On-state resistance: 278mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 8W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Mounting: SMD
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BUK78150-55A/CUX BUK78150-55A/CUX Hersteller : Nexperia BUK78150-55A.pdf MOSFETs BUK78150-55A/SOT223/SC-73
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Mindestbestellmenge: 4
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BUK78150-55A/CUX BUK78150-55A/CUX Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK78150-55A.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BUK78150-55A/CUX BUK78150-55A/CUX Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003105601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK78150-55A/CUX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.5 A, 0.128 ohm, SC-73, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8W
Bauform - Transistor: SC-73
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.128ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BUK78150-55A/CUX BUK78150-55A/CUX Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003105601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK78150-55A/CUX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.5 A, 0.128 ohm, SC-73, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8W
Bauform - Transistor: SC-73
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.128ohm
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BUK78150-55A/CUX BUK78150-55A/CUX Hersteller : NEXPERIA 4376101340989826buk78150-55a.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 5.5A Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BUK78150-55A/CUX BUK78150-55A/CUX Hersteller : Nexperia 4376101340989826buk78150-55a.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 5.5A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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