auf Bestellung 1475 Stücke:
Lieferzeit 101-105 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.00 EUR |
| 10+ | 3.33 EUR |
| 100+ | 2.64 EUR |
| 250+ | 2.50 EUR |
| 500+ | 2.24 EUR |
| 1000+ | 1.88 EUR |
| 1500+ | 1.81 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BUK7J2R4-80MX Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK7J2R4-80MX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 231 A, 0.0024 ohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 231A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 294W, Bauform - Transistor: LFPAK56E, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BUK7J2R4-80MX
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK7J2R4-80MX | Hersteller : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - BUK7J2R4-80MX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 231 A, 0.0024 ohm, LFPAK56E, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 231A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 294W Bauform - Transistor: LFPAK56E Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1464 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
BUK7J2R4-80MX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7J2R4-80MX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 231 A, 0.0024 ohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 1464 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
BUK7J2R4-80MX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: BUK7J2R4-80M/SOT1023/LFPAK56E Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 231A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 64 V Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
BUK7J2R4-80MX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: BUK7J2R4-80M/SOT1023/LFPAK56E Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 231A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 64 V Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |