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BUK7K134-100EX Nexperia


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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 9.8A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BUK7K134-100EX Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK7K134-100EX - Dual-MOSFET, SOT-1205, tariffCode: 85412900, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.8, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-1205, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.121, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 32, Betriebstemperatur, max.: 175, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

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BUK7K134-100EX BUK7K134-100EX Nexperia 805583762947952buk7k134-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.8A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
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BUK7K134-100EX BUK7K134-100EX Nexperia BUK7K134-100E.pdf MOSFETs SOT1205 100V 9.8A
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BUK7K134-100EX BUK7K134-100EX Nexperia 805583762947952buk7k134-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.8A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
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BUK7K134-100EX BUK7K134-100EX Nexperia USA Inc. BUK7K134-100E.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 9.8A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 564pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
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MOSFETs SOT1205 100V 9.8A
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 564pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
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Grade: Automotive
Part Status: Active
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