BUK7K134-100EX Nexperia
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Technische Details BUK7K134-100EX Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK7K134-100EX - Dual-MOSFET, SOT-1205, tariffCode: 85412900, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.8, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-1205, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.121, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 32, Betriebstemperatur, max.: 175, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote BUK7K134-100EX nach Preis ab 0.56 EUR bis 1.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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BUK7K134-100EX | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 100V 9.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R |
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BUK7K134-100EX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK7K134-100EX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 9.8A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 32W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 564pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q100 |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK7K134-100EX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 9.8A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 32W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 564pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q100 |
auf Bestellung 1596 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK7K134-100EX | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs Dual N-channel 80 V, 15 mohm standard level MOSFET |
auf Bestellung 3859 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK7K134-100EX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.8A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK7K134-100EX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R |
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BUK7K134-100EX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7K134-100EX - Dual-MOSFET, SOT-1205 tariffCode: 85412900 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.8 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-1205 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.121 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 32 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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| BUK7K134-100EX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.9A; Idm: 39A; 32W Application: automotive industry Power dissipation: 32W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 10.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 39A Mounting: SMD Case: LFPAK33; SOT1210 Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.9A On-state resistance: 335mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| BUK7K134-100EX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.9A; Idm: 39A; 32W Application: automotive industry Power dissipation: 32W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 10.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 39A Mounting: SMD Case: LFPAK33; SOT1210 Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.9A On-state resistance: 335mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 |
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