Technische Details BUK7K15-80EX Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK7K15-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 23 A, 23 A, 0.0112 ohm, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0112, Anzahl der Pins: 8, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Produktpalette: -, Bauform - Transistor: SOT-1205, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Verlustleistung, n-Kanal: 68, Drain-Source-Spannung Vds: 80, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80, Verlustleistung, p-Kanal: 68, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112, Dauer-Drainstrom Id: 23, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0112, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 68, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote BUK7K15-80EX nach Preis ab 1.08 EUR bis 33.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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BUK7K15-80EX | Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK7K15-80EX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK7K15-80EX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 80V 23A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 68W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2457pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK7K15-80EX | Nexperia |
MOSFETs SOT1205 2NCH 80V 23A |
auf Bestellung 29989 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK7K15-80EX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 80V 23A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 68W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2457pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 10400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK7K15-80EX | NXP |
Trans MOSFET N-CH 80V 23A Automotive 8-Pin LFPAK-D BUK7K15-80EX BUK7K15-80EX TBUK7k15-80ex Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BUK7K15-80EX | NXP |
Trans MOSFET N-CH 80V 23A Automotive 8-Pin LFPAK-D BUK7K15-80EX BUK7K15-80EX TBUK7k15-80ex Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BUK7K15-80EX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7K15-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 23 A, 23 A, 0.0112 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0112 Anzahl der Pins: 8 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23 MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Produktpalette: - Bauform - Transistor: SOT-1205 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung, n-Kanal: 68 Drain-Source-Spannung Vds: 80 Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80 Verlustleistung, p-Kanal: 68 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80 Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112 Dauer-Drainstrom Id: 23 rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0112 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 68 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BUK7K15-80EX |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1500+ | 1.18 EUR |
| BUK7K15-80EX |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1500+ | 1.19 EUR |
| BUK7K15-80EX |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 80V 23A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2457pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET 2N-CH 80V 23A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2457pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1500+ | 1.26 EUR |
| 3000+ | 1.18 EUR |
| 4500+ | 1.13 EUR |
| 7500+ | 1.08 EUR |
| BUK7K15-80EX |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT1205 2NCH 80V 23A
MOSFETs SOT1205 2NCH 80V 23A
auf Bestellung 29989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.16 EUR |
| 10+ | 2.68 EUR |
| 100+ | 1.82 EUR |
| 500+ | 1.44 EUR |
| 1000+ | 1.26 EUR |
| 1500+ | 1.21 EUR |
| BUK7K15-80EX |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 80V 23A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2457pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET 2N-CH 80V 23A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2457pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 4.16 EUR |
| 10+ | 2.67 EUR |
| 100+ | 1.81 EUR |
| 500+ | 1.44 EUR |
| BUK7K15-80EX |
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Hersteller: NXP
Trans MOSFET N-CH 80V 23A Automotive 8-Pin LFPAK-D BUK7K15-80EX BUK7K15-80EX TBUK7k15-80ex
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Trans MOSFET N-CH 80V 23A Automotive 8-Pin LFPAK-D BUK7K15-80EX BUK7K15-80EX TBUK7k15-80ex
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 5.16 EUR |
| BUK7K15-80EX |
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Hersteller: NXP
Trans MOSFET N-CH 80V 23A Automotive 8-Pin LFPAK-D BUK7K15-80EX BUK7K15-80EX TBUK7k15-80ex
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Trans MOSFET N-CH 80V 23A Automotive 8-Pin LFPAK-D BUK7K15-80EX BUK7K15-80EX TBUK7k15-80ex
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 33.51 EUR |
| BUK7K15-80EX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7K15-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 23 A, 23 A, 0.0112 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0112
Anzahl der Pins: 8
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: SOT-1205
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung, n-Kanal: 68
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80
Verlustleistung, p-Kanal: 68
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112
Dauer-Drainstrom Id: 23
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0112
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 68
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: NEXPERIA - BUK7K15-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 23 A, 23 A, 0.0112 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0112
Anzahl der Pins: 8
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: SOT-1205
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung, n-Kanal: 68
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80
Verlustleistung, p-Kanal: 68
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112
Dauer-Drainstrom Id: 23
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0112
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 68
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)