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BUK7K3R7-40NX

BUK7K3R7-40NX Nexperia

Hersteller: Nexperia
MOSFETs Dual N-channel 40 V, 3.7 mOhm standard level MOSFET in LFPAK56D
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Technische Details BUK7K3R7-40NX Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK7K3R7-40NX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 105 A, 3700 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 105A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3700µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 97W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BUK7K3R7-40NX BUK7K3R7-40NX Hersteller : NEXPERIA BUK7K3R7-40N.pdf Description: NEXPERIA - BUK7K3R7-40NX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 105 A, 3700 µohm
tariffCode: 85412900
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
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usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 105A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3700µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 97W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BUK7K3R7-40NX BUK7K3R7-40NX Hersteller : NEXPERIA BUK7K3R7-40N.pdf Description: NEXPERIA - BUK7K3R7-40NX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 105 A, 3700 µohm
tariffCode: 85412900
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rohsCompliant: YES
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3700µohm
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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