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BUK7M42-60EX

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Produktcode: 178122
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Transistoren > MOSFET N-CH

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BUK7M42-60EX BUK7M42-60EX Nexperia 2039604273168465buk7m42-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
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BUK7M42-60EX BUK7M42-60EX Nexperia 2039604273168465buk7m42-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
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BUK7M42-60EX BUK7M42-60EX Nexperia 2039604273168465buk7m42-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
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502+0.35 EUR
510+0.33 EUR
518+0.32 EUR
527+0.31 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 502 Stücke
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BUK7M42-60EX BUK7M42-60EX Nexperia 2039604273168465buk7m42-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
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486+0.36 EUR
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518+0.29 EUR
527+0.27 EUR
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BUK7M42-60EX BUK7M42-60EX Nexperia 2039604273168465buk7m42-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
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1816+0.36 EUR
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BUK7M42-60EX BUK7M42-60EX Nexperia USA Inc. BUK7M42-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 20A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 508 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
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1500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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BUK7M42-60EX BUK7M42-60EX Nexperia BUK7M42-60E.pdf MOSFETs BUK7M42-60E/SOT1210/mLFPAK
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10+1.06 EUR
100+0.69 EUR
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1500+0.4 EUR
3000+0.37 EUR
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BUK7M42-60EX BUK7M42-60EX Nexperia USA Inc. BUK7M42-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 20A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 508 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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13+1.71 EUR
20+1.07 EUR
50+0.79 EUR
100+0.7 EUR
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Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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Description: MOSFET N-CH 60V 20A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 508 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Description: MOSFET N-CH 60V 20A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
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Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 508 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4217 Stücke:
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