BUK7M45-40EX Nexperia
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Technische Details BUK7M45-40EX Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK7M45-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.033 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BUK7M45-40EX nach Preis ab 0.16 EUR bis 1.02 EUR
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BUK7M45-40EX | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 40V 19A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
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BUK7M45-40EX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 19A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 317 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BUK7M45-40EX | Hersteller : Nexperia |
MOSFET BUK7M45-40E/SOT1210/mLFPAK |
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BUK7M45-40EX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7M45-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.033 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 10500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK7M45-40EX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 19A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R |
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BUK7M45-40EX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 19A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
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BUK7M45-40EX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 19A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
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BUK7M45-40EX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 19A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
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| BUK7M45-40EX | Hersteller : NEXPERIA |
BUK7M45-40EX SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUK7M45-40EX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 19A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 317 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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