BUK7M67-60EX Nexperia
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Technische Details BUK7M67-60EX Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK7M67-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 14 A, 0.054 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BUK7M67-60EX nach Preis ab 0.22 EUR bis 6.96 EUR
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BUK7M67-60EX | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 |
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BUK7M67-60EX | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs SOT1210 N CHAN 60V |
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BUK7M67-60EX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 14A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BUK7M67-60EX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7M67-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 14 A, 0.054 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
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BUK7M67-60EX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7M67-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 14 A, 0.054 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 17731 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7M67-60EX | Hersteller : NXP |
N-MOSFET 60V 14A 10V 31W AUTOMOTIVE BUK7M67-60EX TBUK7m67-60ex Anzahl je Verpackung: 4 Stücke |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BUK7M67-60EX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 14A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUK7M67-60EX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUK7M67-60EX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUK7M67-60EX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 14A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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