BUK7M6R3-40EX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1912 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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| Anzahl | Preis |
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| 1500+ | 0.55 EUR |
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Technische Details BUK7M6R3-40EX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK7M6R3-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0052 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BUK7M6R3-40EX nach Preis ab 0.48 EUR bis 5.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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BUK7M6R3-40EX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56.4A; Idm: 319A; 79W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 56.4A Pulsed drain current: 319A Power dissipation: 79W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 28.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1491 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BUK7M6R3-40EX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56.4A; Idm: 319A; 79W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 56.4A Pulsed drain current: 319A Power dissipation: 79W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 28.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
auf Bestellung 1491 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK7M6R3-40EX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1912 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 2396 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK7M6R3-40EX | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs N-channel 40 V, 6.7 mΩ standard level MOSFET in LFPAK33 |
auf Bestellung 1733 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK7M6R3-40EX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7M6R3-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0052 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1788 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK7M6R3-40EX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7M6R3-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0052 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1788 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK7M6R3-40EX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R |
auf Bestellung 79500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7M6R3-40EX | Hersteller : NXP |
N-MOSFET 40V 70A 10V 79W AUTOMOTIVE BUK7M6R3-40EX TBUK7m6r3-40ex Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BUK7M6R3-40EX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUK7M6R3-40EX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |