BUK7M9R9-60EX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 60A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2007 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1500+ | 0.74 EUR |
| 3000+ | 0.68 EUR |
| 4500+ | 0.65 EUR |
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Technische Details BUK7M9R9-60EX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK7M9R9-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 8000 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 79W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm.
Weitere Produktangebote BUK7M9R9-60EX nach Preis ab 0.64 EUR bis 2.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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BUK7M9R9-60EX | Nexperia |
MOSFETs SOT1210 N-CH 60V 60A |
auf Bestellung 12426 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK7M9R9-60EX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 60A LFPAK33 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2007 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
auf Bestellung 5558 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK7M9R9-60EX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7M9R9-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 8000 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 79W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm |
auf Bestellung 878 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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BUK7M9R9-60EX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7M9R9-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 8000 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 79W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm |
auf Bestellung 878 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BUK7M9R9-60EX |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT1210 N-CH 60V 60A
MOSFETs SOT1210 N-CH 60V 60A
auf Bestellung 12426 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.64 EUR |
| 10+ | 1.67 EUR |
| 100+ | 1.11 EUR |
| 500+ | 0.87 EUR |
| 1000+ | 0.75 EUR |
| 1500+ | 0.69 EUR |
| 3000+ | 0.64 EUR |
| BUK7M9R9-60EX |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 60A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2007 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
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Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Description: MOSFET N-CH 60V 60A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2007 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
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Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 5558 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.64 EUR |
| 13+ | 1.65 EUR |
| 100+ | 1.09 EUR |
| 500+ | 0.86 EUR |
| BUK7M9R9-60EX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7M9R9-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 8000 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Qualifikation: AEC-Q101
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
Description: NEXPERIA - BUK7M9R9-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 8000 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 878 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BUK7M9R9-60EX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7M9R9-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 8000 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
Description: NEXPERIA - BUK7M9R9-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 8000 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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auf Bestellung 878 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)