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BUK7S1R5-40HJ

BUK7S1R5-40HJ Nexperia

buk7s1r540h.pdf Hersteller: Nexperia
Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
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Technische Details BUK7S1R5-40HJ Nexperia

Description: MOSFET N-CH 40V 260A LFPAK88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1235, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 242W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): +20V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6712 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

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BUK7S1R5-40HJ BUK7S1R5-40HJ Hersteller : Nexperia buk7s1r540h.pdf Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
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BUK7S1R5-40HJ BUK7S1R5-40HJ Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK7S1R5-40H.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 260A LFPAK88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6712 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BUK7S1R5-40HJ BUK7S1R5-40HJ Hersteller : Nexperia BUK7S1R5-40H.pdf MOSFETs BUK7S1R5-40H/SOT1235/LFPAK88
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BUK7S1R5-40HJ BUK7S1R5-40HJ Hersteller : Nexperia buk7s1r540h.pdf Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
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BUK7S1R5-40HJ BUK7S1R5-40HJ Hersteller : NEXPERIA 3148183.pdf Description: NEXPERIA - BUK7S1R5-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 260 A, 0.00124 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 260
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 242
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 242
Bauform - Transistor: LFPAK88
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00124
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00124
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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BUK7S1R5-40HJ BUK7S1R5-40HJ Hersteller : Nexperia buk7s1r540h.pdf Nexperia’s LFPAK88 delivers industry leading power density in truly innovative 8mm x 8mm footprint
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BUK7S1R5-40HJ Hersteller : NEXPERIA buk7s1r5-40h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 260A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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BUK7S1R5-40HJ Hersteller : NEXPERIA BUK7S1R5-40H.pdf BUK7S1R5-40HJ SMD N channel transistors
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BUK7S1R5-40HJ BUK7S1R5-40HJ Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK7S1R5-40H.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 260A LFPAK88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
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