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BUK7Y14-80EX

BUK7Y14-80EX Nexperia

3006082774356984buk7y14-80e.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 65A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Technische Details BUK7Y14-80EX Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK7Y14-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 65 A, 9200 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 147W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BUK7Y14-80EX BUK7Y14-80EX Nexperia 3006082774356984buk7y14-80e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 65A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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BUK7Y14-80EX BUK7Y14-80EX Nexperia 3006082774356984buk7y14-80e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 65A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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BUK7Y14-80EX BUK7Y14-80EX Nexperia 3006082774356984buk7y14-80e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 65A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
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BUK7Y14-80EX BUK7Y14-80EX Nexperia 3006082774356984buk7y14-80e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 65A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
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BUK7Y14-80EX BUK7Y14-80EX Nexperia 3006082774356984buk7y14-80e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 65A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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1500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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BUK7Y14-80EX BUK7Y14-80EX NEXPERIA BUK7Y14-80E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 46A; Idm: 259A; 147W
On-state resistance: 35.1mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 259A
Power dissipation: 147W
Gate charge: 44.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 46A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
auf Bestellung 1397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+1.59 EUR
65+1.31 EUR
72+1.19 EUR
100+1.11 EUR
250+1.06 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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BUK7Y14-80EX BUK7Y14-80EX Nexperia USA Inc. BUK7Y14-80E.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 65A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3155 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.07 EUR
13+1.69 EUR
100+1.32 EUR
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BUK7Y14-80EX BUK7Y14-80EX Nexperia 3006082774356984buk7y14-80e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 65A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
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1500+2.2 EUR
3000+2.15 EUR
6000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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BUK7Y14-80EX BUK7Y14-80EX Nexperia BUK7Y14-80E.pdf MOSFETs BUK7Y14-80E/SOT669/LFPAK
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.22 EUR
10+2.05 EUR
100+1.37 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.94 EUR
1500+0.87 EUR
3000+0.86 EUR
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BUK7Y14-80EX BUK7Y14-80EX NEXPERIA NEXP-S-A0001057116-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK7Y14-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 65 A, 9200 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 147W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm
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49+5.2 EUR
76+3.06 EUR
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500+1.58 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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3000+0.68 EUR
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Trans MOSFET N-CH 80V 65A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
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Trans MOSFET N-CH 80V 65A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 80V 65A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 46A; Idm: 259A; 147W
On-state resistance: 35.1mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 259A
Power dissipation: 147W
Gate charge: 44.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 46A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
auf Bestellung 1397 Stücke:
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65+1.31 EUR
72+1.19 EUR
100+1.11 EUR
250+1.06 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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BUK7Y14-80EX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 65A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3155 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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11+2.07 EUR
13+1.69 EUR
100+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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BUK7Y14-80EX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 65A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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3000+2.15 EUR
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MOSFETs BUK7Y14-80E/SOT669/LFPAK
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AnzahlPrivatkunde
2+3.22 EUR
10+2.05 EUR
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500+1.08 EUR
1000+0.94 EUR
1500+0.87 EUR
3000+0.86 EUR
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7Y14-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 65 A, 9200 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 147W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm
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49+5.2 EUR
76+3.06 EUR
114+1.89 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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