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BUK7Y1R0-40NX

BUK7Y1R0-40NX NEXPERIA

4190488.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7Y1R0-40NX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 320 A, 970 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 320A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 268W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 970µohm
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Technische Details BUK7Y1R0-40NX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BUK7Y1R0-40NX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 320 A, 970 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 320A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, Verlustleistung: 268W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerSO, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 970µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BUK7Y1R0-40NX BUK7Y1R0-40NX Nexperia MOSFETs BUK7Y1R0-40N/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 643 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.01 EUR
10+3.2 EUR
100+2.18 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.69 EUR
1500+1.63 EUR
4500+1.57 EUR
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BUK7Y1R0-40NX BUK7Y1R0-40NX Nexperia USA Inc. Description: BUK7Y1R0-40N/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.97mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10622 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.15 EUR
10+3.31 EUR
100+2.26 EUR
500+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BUK7Y1R0-40NX BUK7Y1R0-40NX NEXPERIA 4190488.pdf Description: NEXPERIA - BUK7Y1R0-40NX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 320 A, 970 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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rohsCompliant: Y-EX
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 268W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 970µohm
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Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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BUK7Y1R0-40NX
BUK7Y1R0-40NX
Hersteller: Nexperia
MOSFETs BUK7Y1R0-40N/SOT669/LFPAK
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BUK7Y1R0-40NX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: BUK7Y1R0-40N/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.97mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10622 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BUK7Y1R0-40NX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7Y1R0-40NX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 320 A, 970 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 320A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 268W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 970µohm
auf Bestellung 540 Stücke:
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27+9.38 EUR
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