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BUK7Y3R0-40HX

BUK7Y3R0-40HX Nexperia USA Inc.

BUK7Y3R0-40H.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5449 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Technische Details BUK7Y3R0-40HX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK7Y3R0-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2550 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 172W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm.

Weitere Produktangebote BUK7Y3R0-40HX nach Preis ab 0.9 EUR bis 3.72 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BUK7Y3R0-40HX BUK7Y3R0-40HX Nexperia buk7y3r040h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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143+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
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BUK7Y3R0-40HX BUK7Y3R0-40HX Nexperia buk7y3r040h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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BUK7Y3R0-40HX BUK7Y3R0-40HX Nexperia buk7y3r040h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1255 Stücke:
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134+1.32 EUR
136+1.29 EUR
137+1.24 EUR
250+1.2 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
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BUK7Y3R0-40HX BUK7Y3R0-40HX Nexperia buk7y3r040h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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134+1.27 EUR
136+1.21 EUR
137+1.15 EUR
250+1.09 EUR
500+1.04 EUR
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BUK7Y3R0-40HX BUK7Y3R0-40HX Nexperia BUK7Y3R0-40H.pdf MOSFETs SOT669 N CHAN 40V
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10+1.68 EUR
100+1.44 EUR
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1000+0.92 EUR
3000+0.9 EUR
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BUK7Y3R0-40HX BUK7Y3R0-40HX Nexperia buk7y3r040h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
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BUK7Y3R0-40HX BUK7Y3R0-40HX Nexperia USA Inc. BUK7Y3R0-40H.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5449 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 3050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.72 EUR
10+2.37 EUR
50+1.77 EUR
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Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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BUK7Y3R0-40HX BUK7Y3R0-40HX NEXPERIA 2553006.pdf Description: NEXPERIA - BUK7Y3R0-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2550 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 172W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BUK7Y3R0-40HX BUK7Y3R0-40HX Nexperia buk7y3r040h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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BUK7Y3R0-40HX BUK7Y3R0-40HX NEXPERIA 2553006.pdf Description: NEXPERIA - BUK7Y3R0-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2550 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 172W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm
auf Bestellung 620 Stücke:
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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auf Bestellung 1255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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134+1.32 EUR
136+1.29 EUR
137+1.24 EUR
250+1.2 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
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BUK7Y3R0-40HX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1255 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
133+1.33 EUR
134+1.27 EUR
136+1.21 EUR
137+1.15 EUR
250+1.09 EUR
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MOSFETs SOT669 N CHAN 40V
auf Bestellung 867 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+2.28 EUR
10+1.68 EUR
100+1.44 EUR
500+1.21 EUR
1000+0.92 EUR
3000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BUK7Y3R0-40HX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
284+2.33 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BUK7Y3R0-40HX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5449 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 3050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.72 EUR
10+2.37 EUR
50+1.77 EUR
100+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y3R0-40HX 2553006.pdf
BUK7Y3R0-40HX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7Y3R0-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2550 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 172W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y3R0-40HX buk7y3r040h.pdf
BUK7Y3R0-40HX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y3R0-40HX 2553006.pdf
BUK7Y3R0-40HX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7Y3R0-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2550 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 172W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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