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BUK7Y3R5-40E,115

BUK7Y3R5-40E,115 Nexperia

804139918245366buk7y3r5-40e.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BUK7Y3R5-40E,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK7Y3R5-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BUK7Y3R5-40E,115 BUK7Y3R5-40E,115 Hersteller : Nexperia 804139918245366buk7y3r5-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
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BUK7Y3R5-40E,115 BUK7Y3R5-40E,115 Hersteller : Nexperia 804139918245366buk7y3r5-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
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BUK7Y3R5-40E,115 BUK7Y3R5-40E,115 Hersteller : Nexperia 804139918245366buk7y3r5-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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BUK7Y3R5-40E,115 BUK7Y3R5-40E,115 Hersteller : Nexperia 804139918245366buk7y3r5-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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BUK7Y3R5-40E,115 BUK7Y3R5-40E,115 Hersteller : Nexperia 804139918245366buk7y3r5-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
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BUK7Y3R5-40E,115 BUK7Y3R5-40E,115 Hersteller : Nexperia 804139918245366buk7y3r5-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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BUK7Y3R5-40E,115 BUK7Y3R5-40E,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK7Y3R5-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3583 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BUK7Y3R5-40E,115 BUK7Y3R5-40E,115 Hersteller : Nexperia 804139918245366buk7y3r5-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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BUK7Y3R5-40E,115 BUK7Y3R5-40E,115 Hersteller : Nexperia 804139918245366buk7y3r5-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
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BUK7Y3R5-40E,115 BUK7Y3R5-40E,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK7Y3R5-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3583 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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12+1.53 EUR
16+1.17 EUR
100+0.93 EUR
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Mindestbestellmenge: 12
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BUK7Y3R5-40E,115 BUK7Y3R5-40E,115 Hersteller : Nexperia BUK7Y3R5_40E-2937714.pdf MOSFETs BUK7Y3R5-40E/SOT669/LFPAK
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Anzahl Preis
2+2.02 EUR
10+1.64 EUR
100+1.21 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.96 EUR
1500+0.88 EUR
3000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BUK7Y3R5-40E,115 BUK7Y3R5-40E,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003059384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK7Y3R5-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y3R5-40E,115 BUK7Y3R5-40E,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003059384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK7Y3R5-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BUK7Y3R5-40E,115 BUK7Y3R5-40E,115 Hersteller : NEXPERIA 804139918245366buk7y3r5-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y3R5-40E,115 Hersteller : NEXPERIA BUK7Y3R5-40E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 622A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 622A
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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BUK7Y3R5-40E,115 Hersteller : NEXPERIA BUK7Y3R5-40E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 622A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 622A
Application: automotive industry
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