
BUK7Y3R5-40E,115 Nexperia
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Technische Details BUK7Y3R5-40E,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK7Y3R5-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BUK7Y3R5-40E,115 nach Preis ab 0.49 EUR bis 2.02 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BUK7Y3R5-40E,115 | Hersteller : Nexperia |
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BUK7Y3R5-40E,115 | Hersteller : Nexperia |
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BUK7Y3R5-40E,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3583 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BUK7Y3R5-40E,115 | Hersteller : Nexperia |
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BUK7Y3R5-40E,115 | Hersteller : Nexperia |
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BUK7Y3R5-40E,115 | Hersteller : Nexperia |
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BUK7Y3R5-40E,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3583 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BUK7Y3R5-40E,115 | Hersteller : Nexperia |
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BUK7Y3R5-40E,115 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
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BUK7Y3R5-40E,115 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
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BUK7Y3R5-40E,115 | Hersteller : NEXPERIA |
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BUK7Y3R5-40E,115 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 622A; 167W Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A On-state resistance: 3.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 167W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 49.4nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 622A Mounting: SMD Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK7Y3R5-40E,115 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 622A; 167W Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A On-state resistance: 3.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 167W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 49.4nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 622A Mounting: SMD Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 |
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