Technische Details BUK7Y8R7-60EX Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK7Y8R7-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 87 A, 5270 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 87A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 147W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5270µohm.
Weitere Produktangebote BUK7Y8R7-60EX nach Preis ab 0.88 EUR bis 3.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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BUK7Y8R7-60EX | Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 60V 87A LFPAK56Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3159 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 1191 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK7Y8R7-60EX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 347A; 147W Polarisation: unipolar Gate charge: 46nC On-state resistance: 19.5mΩ Drain current: 61A Power dissipation: 147W Pulsed drain current: 347A Application: automotive industry Drain-source voltage: 60V Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK7Y8R7-60EX | Nexperia |
MOSFETs SOT669 N-CH 60V 87A |
auf Bestellung 7588 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK7Y8R7-60EX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7Y8R7-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 87 A, 5270 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 147W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5270µohm |
auf Bestellung 1320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BUK7Y8R7-60EX |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 87A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3159 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 60V 87A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3159 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 2.48 EUR |
| 13+ | 1.71 EUR |
| 100+ | 1.33 EUR |
| BUK7Y8R7-60EX |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 347A; 147W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 19.5mΩ
Drain current: 61A
Power dissipation: 147W
Pulsed drain current: 347A
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 60V
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 347A; 147W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 19.5mΩ
Drain current: 61A
Power dissipation: 147W
Pulsed drain current: 347A
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 60V
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 27+ | 3.17 EUR |
| 34+ | 2.5 EUR |
| BUK7Y8R7-60EX |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 60V 87A
MOSFETs SOT669 N-CH 60V 87A
auf Bestellung 7588 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 3.33 EUR |
| 10+ | 2.12 EUR |
| 100+ | 1.42 EUR |
| 500+ | 1.12 EUR |
| 1000+ | 0.98 EUR |
| 1500+ | 0.9 EUR |
| 3000+ | 0.88 EUR |
| BUK7Y8R7-60EX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7Y8R7-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 87 A, 5270 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 147W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5270µohm
Description: NEXPERIA - BUK7Y8R7-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 87 A, 5270 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 147W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5270µohm
auf Bestellung 1320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)