BUK9212-55B,118 Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 75A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3519 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details BUK9212-55B,118 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK9212-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0081 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55, Dauer-Drainstrom Id: 75, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 167, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5, Verlustleistung: 167, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: TrenchMOS, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0081, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 185, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081, SVHC: No SVHC (16-Jan-2020).
Weitere Produktangebote BUK9212-55B,118
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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BUK9212-55B,118 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3519 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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BUK9212-55B,118 | Nexperia |
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS |
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BUK9212-55B,118 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9212-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0081 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 Dauer-Drainstrom Id: 75 Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 167 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5 Verlustleistung: 167 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TrenchMOS Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0081 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 185 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
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BUK9212-55B,118 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9212-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0081 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Verlustleistung: 167 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081 Qualifikation: AEC-Q101 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BUK9212-55B,118 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 83A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BUK9212-55B,118 |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 75A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3519 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 55V 75A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3519 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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| BUK9212-55B,118 |
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Hersteller: Nexperia
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
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Stück im Wert von UAH
| BUK9212-55B,118 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9212-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0081 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 167
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 167
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0081
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 185
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Description: NEXPERIA - BUK9212-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0081 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 167
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 167
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0081
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 185
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
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| BUK9212-55B,118 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9212-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0081 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 167
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Description: NEXPERIA - BUK9212-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0081 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 167
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
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| BUK9212-55B,118 |
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Trans MOSFET N-CH 55V 83A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 83A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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