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Technische Details BUK9277-55A,118 Nexperia
Description: MOSFET N-CH 55V 18A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 51W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 643 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| BUK9277-55A,118 | Nexperia |
 DPAK 3/TRENCHMOS LOGIC LEVEL FET Транзистори |
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BUK9277-55A,118 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 55V 18A DPAK Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 643 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 51W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
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BUK9277-55A,118 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 55V 18A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 51W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 643 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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BUK9277-55A,118 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9277-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 18 A, 0.059 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 Dauer-Drainstrom Id: 18 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 51 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.059 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 1.5 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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| BUK9277-55A,118 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| BUK9277-55A,118 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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| BUK9277-55A,118 |
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Hersteller: Nexperia
DPAK 3/TRENCHMOS LOGIC LEVEL FET Транзистори
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| BUK9277-55A,118 |
|
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 18A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 643 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 55V 18A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 643 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
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| BUK9277-55A,118 |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 643 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 643 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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| BUK9277-55A,118 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9277-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 18 A, 0.059 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 51
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.059
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: NEXPERIA - BUK9277-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 18 A, 0.059 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 51
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.059
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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