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BUK9635-55A,118

BUK9635-55A,118 Nexperia

4376047352004152buk9635-55a.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 34A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details BUK9635-55A,118 Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK9635-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 34 A, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 85W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BUK9635-55A,118 BUK9635-55A,118 Nexperia 4376047352004152buk9635-55a.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 34A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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BUK9635-55A,118 BUK9635-55A,118 Nexperia 4376047352004152buk9635-55a.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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BUK9635-55A,118 BUK9635-55A,118 Nexperia 4376047352004152buk9635-55a.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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BUK9635-55A,118 BUK9635-55A,118 Nexperia 4376047352004152buk9635-55a.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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192+0.93 EUR
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BUK9635-55A,118 BUK9635-55A,118 Nexperia USA Inc. BUK9635-55A.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 34A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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2400+1.05 EUR
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BUK9635-55A,118 BUK9635-55A,118 NEXPERIA 2341439.pdf Description: NEXPERIA - BUK9635-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 34 A, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 85W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 1205 Stücke:
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100+2.83 EUR
133+1.62 EUR
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BUK9635-55A,118 BUK9635-55A,118 Nexperia BUK9635-55A.pdf MOSFETs BUK9635-55A/SOT404/D2PAK
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1+3.62 EUR
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500+1.17 EUR
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BUK9635-55A,118 BUK9635-55A,118 Nexperia USA Inc. BUK9635-55A.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 34A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BUK9635-55A,118 BUK9635-55A,118 NEXPERIA 2341439.pdf Description: NEXPERIA - BUK9635-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 34 A, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 85W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
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53+4.72 EUR
82+2.83 EUR
133+1.62 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.25 EUR
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BUK9635-55A,118
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 34A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
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BUK9635-55A,118
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1600 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
800+0.88 EUR
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Trans MOSFET N-CH 55V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 34A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9635-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 34 A, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
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Qualifikation: AEC-Q101
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
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133+1.62 EUR
500+1.34 EUR
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MOSFETs BUK9635-55A/SOT404/D2PAK
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1+3.62 EUR
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800+1.02 EUR
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 34A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 25A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7505 Stücke:
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tariffCode: 85412900
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Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 85W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
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53+4.72 EUR
82+2.83 EUR
133+1.62 EUR
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