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BUK9635-55A,118

BUK9635-55A,118 Nexperia

4376047352004152buk9635-55a.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 34A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details BUK9635-55A,118 Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK9635-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 34 A, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 85W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BUK9635-55A,118 BUK9635-55A,118 Nexperia 4376047352004152buk9635-55a.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 34A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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BUK9635-55A,118 BUK9635-55A,118 Nexperia 4376047352004152buk9635-55a.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.87 EUR
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BUK9635-55A,118 BUK9635-55A,118 Nexperia 4376047352004152buk9635-55a.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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BUK9635-55A,118 BUK9635-55A,118 Nexperia 4376047352004152buk9635-55a.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
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192+0.92 EUR
500+0.83 EUR
800+0.7 EUR
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Mindestbestellmenge: 192 Stücke
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BUK9635-55A,118 BUK9635-55A,118 Nexperia USA Inc. BUK9635-55A.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 34A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 4800 Stücke:
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800+1.06 EUR
1600+0.98 EUR
2400+0.93 EUR
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BUK9635-55A,118 BUK9635-55A,118 NEXPERIA 2341439.pdf Description: NEXPERIA - BUK9635-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 34 A, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.17 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BUK9635-55A,118 BUK9635-55A,118 Nexperia USA Inc. BUK9635-55A.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 34A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 5382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+2.11 EUR
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BUK9635-55A,118 BUK9635-55A,118 Nexperia BUK9635-55A.pdf MOSFETs BUK9635-55A/SOT404/D2PAK
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1+3.62 EUR
10+2.32 EUR
100+1.56 EUR
500+1.12 EUR
800+1.02 EUR
2400+1 EUR
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BUK9635-55A,118 BUK9635-55A,118 NEXPERIA 2341439.pdf Description: NEXPERIA - BUK9635-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 34 A, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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51+4.95 EUR
74+3.15 EUR
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1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
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BUK9635-55A,118
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 34A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1600 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
800+0.87 EUR
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Trans MOSFET N-CH 55V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1600 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 55V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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500+0.83 EUR
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BUK9635-55A,118
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 34A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
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BUK9635-55A,118
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9635-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 34 A, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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BUK9635-55A,118
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 34A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
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10+2.11 EUR
100+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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BUK9635-55A,118
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MOSFETs BUK9635-55A/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 8844 Stücke:
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1+3.62 EUR
10+2.32 EUR
100+1.56 EUR
500+1.12 EUR
800+1.02 EUR
2400+1 EUR
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9635-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 34 A, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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