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BUK9640-100A,118

BUK9640-100A,118 Nexperia USA Inc.

BUK9640-100A.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3072 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3200 Stücke:
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Anzahl Preis
800+1.08 EUR
1600+1.07 EUR
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Technische Details BUK9640-100A,118 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK9640-100A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 39 A, 0.029 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 158W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

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BUK9640-100A,118 BUK9640-100A,118 Hersteller : Nexperia 1732011481653313buk9640-100a.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 39A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 304 Stücke:
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BUK9640-100A,118 BUK9640-100A,118 Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK9640-100A.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3072 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3298 Stücke:
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11+1.63 EUR
100+1.27 EUR
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BUK9640-100A,118 BUK9640-100A,118 Hersteller : Nexperia BUK9640-100A.pdf MOSFETs N-channel TrenchMOS logic level FET
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100+1.29 EUR
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BUK9640-100A,118 BUK9640-100A,118 Hersteller : NEXPERIA BUK9640-100A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 159A; 158W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 159A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 698 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.33 EUR
43+1.69 EUR
60+1.2 EUR
63+1.14 EUR
500+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 31
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BUK9640-100A,118 BUK9640-100A,118 Hersteller : NEXPERIA BUK9640-100A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 159A; 158W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 159A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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43+1.69 EUR
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63+1.14 EUR
500+1.1 EUR
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BUK9640-100A,118 BUK9640-100A,118 Hersteller : NEXPERIA PHGLS20786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9640-100A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 39 A, 0.029 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BUK9640-100A,118 BUK9640-100A,118 Hersteller : NEXPERIA PHGLS20786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9640-100A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 39 A, 0.029 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2264 Stücke:
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BUK9640-100A,118 Hersteller : NXP Semiconductors BUK9640-100A.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 39A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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1000+1.13 EUR
10000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 375
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Produktcode: 179942
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