
BUK9640-100A,118 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3072 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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800+ | 1.08 EUR |
1600+ | 1.07 EUR |
2400+ | 1.06 EUR |
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Technische Details BUK9640-100A,118 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK9640-100A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 39 A, 0.029 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 158W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BUK9640-100A,118 nach Preis ab 0.96 EUR bis 2.33 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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BUK9640-100A,118 | Hersteller : Nexperia |
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auf Bestellung 304 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9640-100A,118 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3072 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 3298 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK9640-100A,118 | Hersteller : Nexperia |
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auf Bestellung 2509 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK9640-100A,118 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 159A; 158W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 28A Pulsed drain current: 159A Power dissipation: 158W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 698 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BUK9640-100A,118 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 159A; 158W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 28A Pulsed drain current: 159A Power dissipation: 158W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
auf Bestellung 698 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9640-100A,118 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 158W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2264 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9640-100A,118 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 158W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2264 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9640-100A,118 | Hersteller : NXP Semiconductors |
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BUK9640-100A,118 Produktcode: 179942
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