Produkte > NXP USA INC. > BUK9E1R9-40E,127
BUK9E1R9-40E,127

BUK9E1R9-40E,127 NXP USA Inc.


Hersteller: NXP USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
auf Bestellung 5048 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
317+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 317
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BUK9E1R9-40E,127 NXP USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj), Supplier Device Package: I2PAK, Part Status: Obsolete, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V.

Weitere Produktangebote BUK9E1R9-40E,127

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
BUK9E1R9-40E,127 BUK9E1R9-40E,127 Hersteller : NXP USA Inc. Description: MOSFET N-CH 40V I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
BUK9E1R9-40E,127 BUK9E1R9-40E,127 Hersteller : Nexperia BUK9E1R9-40E-1599203.pdf MOSFET BUK9E1R9-40E/I2PAK/STANDARD MA
Produkt ist nicht verfügbar