BUK9K12-80LX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: BUK9K12-80L/SOT1205/LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4441pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 140µA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 3.57 EUR |
| 10+ | 2.29 EUR |
| 100+ | 1.56 EUR |
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Technische Details BUK9K12-80LX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK9K12-80LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 51 A, 0.0112 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 51A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 68W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BUK9K12-80LX nach Preis ab 1.53 EUR bis 4.05 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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BUK9K12-80LX | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product. |
auf Bestellung 833 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK9K12-80LX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9K12-80LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 51 A, 0.0112 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 51A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 68W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9K12-80LX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9K12-80LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 51 A, 0.0112 ohm tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9K12-80LX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin LFPAK-D |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUK9K12-80LX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: BUK9K12-80L/SOT1205/LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 68W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4441pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 140µA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |