BUK9K18-40E,115 Nexperia
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.89 EUR |
| 10+ | 1.77 EUR |
| 100+ | 1.17 EUR |
| 500+ | 0.92 EUR |
| 1000+ | 0.82 EUR |
| 1500+ | 0.79 EUR |
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Technische Details BUK9K18-40E,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK9K18-40E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 38W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-1205, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm.
Weitere Produktangebote BUK9K18-40E,115 nach Preis ab 0.96 EUR bis 2.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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BUK9K18-40E,115 | Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56DQualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56D Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1061pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 38W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 3430 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK9K18-40E,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9K18-40E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 38W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1205 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BUK9K18-40E,115 |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1061pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 38W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1061pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 38W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.89 EUR |
| 12+ | 1.83 EUR |
| 100+ | 1.23 EUR |
| 500+ | 0.96 EUR |
| BUK9K18-40E,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9K18-40E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 38W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1205
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
Description: NEXPERIA - BUK9K18-40E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
auf Bestellung 1500 Stücke:
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