BUK9K20-80EX Nexperia
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Technische Details BUK9K20-80EX Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK9K20-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 23 A, 23 A, 0.0142 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0142ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 68W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-1205, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0142ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 68W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BUK9K20-80EX nach Preis ab 1.00 EUR bis 3.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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BUK9K20-80EX | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
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BUK9K20-80EX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9K20-80EX | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs BUK9K20-80E/SOT1205/LFPAK56D |
auf Bestellung 3059 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK9K20-80EX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 80V 23A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 68W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3462pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 1350 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK9K20-80EX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9K20-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 23 A, 23 A, 0.0142 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0142ohm Verlustleistung, p-Kanal: 68W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-1205 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0142ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 68W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2394 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9K20-80EX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9K20-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 23 A, 23 A, 0.0142 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0142ohm Verlustleistung, p-Kanal: 68W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-1205 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0142ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 68W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2394 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9K20-80EX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 80V 23A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 68W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3462pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 1300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK9K20-80EX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 80V 23A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9K20-80EX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
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| BUK9K20-80EX | Hersteller : NEXPERIA |
BUK9K20-80EX Multi channel transistors |
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