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BUK9K25-40EX

BUK9K25-40EX Nexperia USA Inc.

BUK9K25-40E.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 40V 18.2A LFPAK56D
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 701pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 32W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details BUK9K25-40EX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 40V 18.2A LFPAK56D, Qualification: AEC-Q100, Grade: Automotive, Part Status: Active, Supplier Device Package: LFPAK56D, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 701pF @ 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.2A, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Power - Max: 32W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BUK9K25-40EX BUK9K25-40EX Nexperia 3006645130200931buk9k25-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18.2A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R
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BUK9K25-40EX BUK9K25-40EX Nexperia 3006645130200931buk9k25-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18.2A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R
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BUK9K25-40EX BUK9K25-40EX Nexperia BUK9K25-40E.pdf MOSFETs SOT1205 2NCH 40V 18.2A
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BUK9K25-40EX BUK9K25-40EX Nexperia USA Inc. BUK9K25-40E.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 18.2A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 701pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
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Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
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Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 701pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
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