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BUK9K25-40RAX

BUK9K25-40RAX Nexperia USA Inc.

BUK9K25-40RA.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 40V 18.2A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 701pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details BUK9K25-40RAX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK9K25-40RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 18.2 A, 18.2 A, 0.024 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.2A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 32W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 32W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

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BUK9K25-40RAX BUK9K25-40RAX Nexperia USA Inc. BUK9K25-40RA.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 18.2A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 701pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BUK9K25-40RAX BUK9K25-40RAX NEXPERIA 3175794.pdf Description: NEXPERIA - BUK9K25-40RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 18.2 A, 18.2 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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BUK9K25-40RAX BUK9K25-40RAX NEXPERIA 3175794.pdf Description: NEXPERIA - BUK9K25-40RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 18.2 A, 18.2 A, 0.024 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.2A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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Hersteller: Nexperia
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 40V 18.2A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 701pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BUK9K25-40RAX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9K25-40RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 18.2 A, 18.2 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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BUK9K25-40RAX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9K25-40RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 18.2 A, 18.2 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.2A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18.2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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