BUK9K29-100E,115 Nexperia
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Technische Details BUK9K29-100E,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK9K29-100E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.0227 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0227ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 68W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0227ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 68W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||
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BUK9K29-100E,115 | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R |
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BUK9K29-100E,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 68W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3491pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BUK9K29-100E,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R |
auf Bestellung 1075 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9K29-100E,115 | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs Dual N-channel 80 V, 30 mohm logic level MOSFET |
auf Bestellung 14855 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK9K29-100E,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 68W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3491pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 6503 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK9K29-100E,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9K29-100E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.0227 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0227ohm Verlustleistung, p-Kanal: 68W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0227ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 68W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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BUK9K29-100E,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9K29-100E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.0227 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0227ohm Verlustleistung, p-Kanal: 68W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0227ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 68W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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BUK9K29-100E,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R |
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BUK9K29-100E,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUK9K29-100E,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R |
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| BUK9K29-100E,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 21A; Idm: 118A; 68W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 21A Pulsed drain current: 118A Power dissipation: 68W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 54nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke |
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| BUK9K29-100E,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 21A; Idm: 118A; 68W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 21A Pulsed drain current: 118A Power dissipation: 68W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 54nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
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