BUK9K49-80LX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 80V 17A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 30µA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 3.08 EUR |
| 10+ | 1.96 EUR |
| 50+ | 1.47 EUR |
| 100+ | 1.31 EUR |
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Technische Details BUK9K49-80LX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK9K49-80LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 17 A, 0.0485 ohm, tariffCode: 85423990, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0485ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 32W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BUK9K49-80LX
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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BUK9K49-80LX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9K49-80LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 17 A, 0.0485 ohm tariffCode: 85423990 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0485ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 32W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9K49-80LX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 80V 17A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 32W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48.5mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 30µA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BUK9K49-80LX | Hersteller : Nexperia |
BUK9K49-80L/SOT1205/LFPAK56D |
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