Technische Details BUK9K52-60RAX Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK9K52-60RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 16 A, 16 A, 0.0414 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0414ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 32W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0414ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 32W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BUK9K52-60RAX nach Preis ab 0.49 EUR bis 3.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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BUK9K52-60RAX | Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1468 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9K52-60RAX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9K52-60RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 16 A, 16 A, 0.0414 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0414ohm Verlustleistung, p-Kanal: 32W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0414ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 32W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1444 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9K52-60RAX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9K52-60RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 16 A, 16 A, 0.0414 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0414ohm Verlustleistung, p-Kanal: 32W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0414ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 32W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1444 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9K52-60RAX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 32W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 132 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK9K52-60RAX | Nexperia |
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product. |
auf Bestellung 137 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK9K52-60RAX |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 237+ | 0.74 EUR |
| 249+ | 0.68 EUR |
| 250+ | 0.65 EUR |
| 252+ | 0.62 EUR |
| 262+ | 0.57 EUR |
| 265+ | 0.55 EUR |
| 500+ | 0.51 EUR |
| 1000+ | 0.49 EUR |
| BUK9K52-60RAX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9K52-60RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 16 A, 16 A, 0.0414 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0414ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0414ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BUK9K52-60RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 16 A, 16 A, 0.0414 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0414ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0414ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 279+ | 0.89 EUR |
| 280+ | 0.83 EUR |
| 281+ | 0.76 EUR |
| BUK9K52-60RAX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9K52-60RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 16 A, 16 A, 0.0414 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0414ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0414ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BUK9K52-60RAX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 16 A, 16 A, 0.0414 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0414ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0414ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 279+ | 0.89 EUR |
| 280+ | 0.83 EUR |
| 281+ | 0.76 EUR |
| BUK9K52-60RAX |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.09 EUR |
| 11+ | 1.96 EUR |
| 100+ | 1.32 EUR |
| BUK9K52-60RAX |
|
Hersteller: Nexperia
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
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auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 3.28 EUR |
| 10+ | 2.12 EUR |
| 100+ | 1.44 EUR |
| 500+ | 1.11 EUR |
| 1000+ | 0.69 EUR |