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Technische Details BUK9K61-100LX Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK9K61-100LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.0601 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0601ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 32W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BUK9K61-100LX nach Preis ab 1.04 EUR bis 2.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||
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BUK9K61-100LX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
 Description: BUK9K61-100L/SOT1205/LFPAK56DPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 32W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60.1mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 30µA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BUK9K61-100LX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9K61-100LX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.0601 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0601ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 32W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
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BUK9K61-100LX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: BUK9K61-100L/SOT1205/LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 32W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60.1mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 30µA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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