
BUK9M15-60EX Nexperia
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Anzahl | Preis |
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Technische Details BUK9M15-60EX Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK9M15-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 47 A, 0.011 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BUK9M15-60EX nach Preis ab 0.38 EUR bis 5.63 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BUK9M15-60EX | Hersteller : Nexperia |
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BUK9M15-60EX | Hersteller : Nexperia |
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auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9M15-60EX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 1203 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK9M15-60EX | Hersteller : Nexperia |
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auf Bestellung 12453 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK9M15-60EX | Hersteller : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 354 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9M15-60EX | Hersteller : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 354 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9M15-60EX | Hersteller : NXP |
![]() Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BUK9M15-60EX | Hersteller : Nexperia |
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BUK9M15-60EX | Hersteller : NEXPERIA |
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BUK9M15-60EX | Hersteller : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 188A; 75W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 33A Pulsed drain current: 188A Power dissipation: 75W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Gate-source voltage: ±10V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BUK9M15-60EX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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BUK9M15-60EX | Hersteller : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 188A; 75W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 33A Pulsed drain current: 188A Power dissipation: 75W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Gate-source voltage: ±10V |
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