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BUK9M15-60EX

BUK9M15-60EX Nexperia

1746797180697044buk9m15-60e.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 47A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
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Technische Details BUK9M15-60EX Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK9M15-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 47 A, 0.011 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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BUK9M15-60EX BUK9M15-60EX Hersteller : Nexperia 1746797180697044buk9m15-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 47A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
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BUK9M15-60EX BUK9M15-60EX Hersteller : Nexperia 1746797180697044buk9m15-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 47A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
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BUK9M15-60EX BUK9M15-60EX Hersteller : Nexperia 1746797180697044buk9m15-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 47A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
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BUK9M15-60EX BUK9M15-60EX Hersteller : Nexperia 1746797180697044buk9m15-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 47A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
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BUK9M15-60EX BUK9M15-60EX Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK9M15-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 47A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BUK9M15-60EX BUK9M15-60EX Hersteller : Nexperia BUK9M15-60E.pdf MOSFETs N-channel 100 V, 156 mohm logic level MOSFET in LFPAK33
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25+1.2 EUR
100+0.84 EUR
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BUK9M15-60EX BUK9M15-60EX Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003105646-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9M15-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 47 A, 0.011 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BUK9M15-60EX BUK9M15-60EX Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003105646-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9M15-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 47 A, 0.011 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BUK9M15-60EX Hersteller : NXP BUK9M15-60E.pdf 2xN-MOSFET 60V 47A 5V,10V 75W AUTOMOTIVE BUK9M15-60EX TBUK9m15-60ex
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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Mindestbestellmenge: 5
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BUK9M15-60EX BUK9M15-60EX Hersteller : Nexperia 1746797180697044buk9m15-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 47A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
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BUK9M15-60EX BUK9M15-60EX Hersteller : NEXPERIA 1746797180697044buk9m15-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 47A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R
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BUK9M15-60EX Hersteller : NEXPERIA BUK9M15-60E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 188A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 188A
Power dissipation: 75W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BUK9M15-60EX BUK9M15-60EX Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK9M15-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 47A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BUK9M15-60EX Hersteller : NEXPERIA BUK9M15-60E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 188A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 188A
Power dissipation: 75W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
Produkt ist nicht verfügbar
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