| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 2.92 EUR |
| 10+ | 1.85 EUR |
| 50+ | 1.37 EUR |
| 100+ | 1.21 EUR |
| 250+ | 0.7 EUR |
| 1500+ | 0.66 EUR |
| 3000+ | 0.63 EUR |
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Technische Details BUK9M16-100LX Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK9M16-100LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0153 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90.9W, Bauform - Transistor: LFPAK33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0153ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BUK9M16-100LX
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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BUK9M16-100LX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9M16-100LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0153 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V euEccn: NLR Verlustleistung: 90.9W Bauform - Transistor: LFPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0153ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1530 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9M16-100LX | Hersteller : Nexperia |
 N-channel Logic Level MOSFET |
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