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BUK9M16-100LX

BUK9M16-100LX Nexperia USA Inc.

BUK9M16-100L.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: BUK9M16-100L/SOT1210/MLFPAK
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Technische Details BUK9M16-100LX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK9M16-100LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0153 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V, Verlustleistung: 90.9W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0153ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BUK9M16-100LX BUK9M16-100LX Nexperia BUK9M16-100L.pdf MOSFETs BUK9M16-100L/SOT1210/mLFPAK
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BUK9M16-100LX BUK9M16-100LX Nexperia USA Inc. BUK9M16-100L.pdf Description: BUK9M16-100L/SOT1210/MLFPAK
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BUK9M16-100LX BUK9M16-100LX NEXPERIA BUK9M16-100L.pdf Description: NEXPERIA - BUK9M16-100LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0153 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 90.9W
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0153ohm
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M16-100LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0153 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
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