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BUK9M20-40HX

BUK9M20-40HX Nexperia

buk9m2040h.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BUK9M20-40HX Nexperia

Description: MOSFET N-CH 40V 25A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +16V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BUK9M20-40HX BUK9M20-40HX Hersteller : Nexperia buk9m2040h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
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BUK9M20-40HX BUK9M20-40HX Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK9M20-40H.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 25A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BUK9M20-40HX BUK9M20-40HX Hersteller : Nexperia buk9m2040h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
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BUK9M20-40HX BUK9M20-40HX Hersteller : Nexperia buk9m2040h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
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3000+0.2 EUR
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BUK9M20-40HX BUK9M20-40HX Hersteller : Nexperia BUK9M20-40H.pdf MOSFETs Single N-channel 60 V, 13 mOhm logic level MOSFET in LFPAK33 using Enhanced SOAtechnology
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BUK9M20-40HX BUK9M20-40HX Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK9M20-40H.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 25A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BUK9M20-40HX BUK9M20-40HX Hersteller : NEXPERIA BUK9M20-40H.pdf Description: NEXPERIA - BUK9M20-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.0158 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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BUK9M20-40HX BUK9M20-40HX Hersteller : NEXPERIA BUK9M20-40H.pdf Description: NEXPERIA - BUK9M20-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.0158 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BUK9M20-40HX BUK9M20-40HX Hersteller : NEXPERIA buk9m20-40h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R
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BUK9M20-40HX BUK9M20-40HX Hersteller : Nexperia buk9m2040h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
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BUK9M20-40HX BUK9M20-40HX Hersteller : Nexperia buk9m2040h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
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BUK9M20-40HX Hersteller : NEXPERIA BUK9M20-40H.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 22A; Idm: 125A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 48.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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BUK9M20-40HX Hersteller : NEXPERIA BUK9M20-40H.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 22A; Idm: 125A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 48.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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