BUK9M24-80LX Nexperia
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.22 EUR |
| 10+ | 1.4 EUR |
| 100+ | 0.93 EUR |
| 500+ | 0.74 EUR |
| 1000+ | 0.66 EUR |
| 1500+ | 0.61 EUR |
| 3000+ | 0.55 EUR |
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Technische Details BUK9M24-80LX Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK9M24-80LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 35 A, 0.0236 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 67W, Bauform - Transistor: LFPAK33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0236ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BUK9M24-80LX nach Preis ab 1.09 EUR bis 2.6 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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BUK9M24-80LX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
 Description: BUK9M24-80L/SOT1210/MLFPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 67W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 60µA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 967 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK9M24-80LX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9M24-80LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 35 A, 0.0236 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V euEccn: NLR Verlustleistung: 67W Bauform - Transistor: LFPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0236ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9M24-80LX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9M24-80LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 35 A, 0.0236 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V euEccn: NLR Verlustleistung: 67W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0236ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9M24-80LX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: BUK9M24-80L/SOT1210/MLFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 67W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 60µA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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