BUK9M24-80LX Nexperia
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.64 EUR |
| 10+ | 1.67 EUR |
| 100+ | 1.11 EUR |
| 500+ | 0.88 EUR |
| 1000+ | 0.79 EUR |
| 1500+ | 0.73 EUR |
| 3000+ | 0.65 EUR |
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Technische Details BUK9M24-80LX Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK9M24-80LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 35 A, 0.0236 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 67W, Bauform - Transistor: LFPAK33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0236ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BUK9M24-80LX nach Preis ab 1.3 EUR bis 3.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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BUK9M24-80LX | Nexperia USA Inc. |
 Description: BUK9M24-80L/SOT1210/MLFPAKQualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: LFPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 60µA Power Dissipation (Max): 67W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.6mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 967 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK9M24-80LX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9M24-80LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 35 A, 0.0236 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V euEccn: NLR Verlustleistung: 67W Bauform - Transistor: LFPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0236ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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BUK9M24-80LX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9M24-80LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 35 A, 0.0236 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V euEccn: NLR Verlustleistung: 67W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0236ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BUK9M24-80LX |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: BUK9M24-80L/SOT1210/MLFPAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 67W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: BUK9M24-80L/SOT1210/MLFPAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 67W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 967 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.09 EUR |
| 11+ | 1.95 EUR |
| 50+ | 1.45 EUR |
| 100+ | 1.3 EUR |
| BUK9M24-80LX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M24-80LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 35 A, 0.0236 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0236ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BUK9M24-80LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 35 A, 0.0236 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0236ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BUK9M24-80LX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M24-80LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 35 A, 0.0236 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0236ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BUK9M24-80LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 35 A, 0.0236 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0236ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)