BUK9M28-80EX NEXPERIA
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23.1A; Idm: 131A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23.1A
Pulsed drain current: 131A
Power dissipation: 75W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 72+ | 1 EUR |
| 82+ | 0.87 EUR |
| 98+ | 0.73 EUR |
| 109+ | 0.66 EUR |
| 250+ | 0.61 EUR |
| 500+ | 0.58 EUR |
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Technische Details BUK9M28-80EX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M28-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33 A, 0.02 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BUK9M28-80EX nach Preis ab 0.43 EUR bis 1.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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BUK9M28-80EX | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs SOT1210 N CHAN 80V |
auf Bestellung 4850 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK9M28-80EX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9M28-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33 A, 0.02 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2885 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9M28-80EX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9M28-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33 A, 0.02 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2885 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9M28-80EX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 33A LFPAK33 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2275 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUK9M28-80EX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 33A LFPAK33 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2275 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Cut Tape (CT) |
Produkt ist nicht verfügbar |