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BUK9M28-80EX

BUK9M28-80EX Nexperia USA Inc.

BUK9M28-80E.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 33A LFPAK33
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2275 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details BUK9M28-80EX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK9M28-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33 A, 0.02 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 75W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BUK9M28-80EX BUK9M28-80EX Nexperia BUK9M28-80E.pdf MOSFETs BUK9M28-80E/SOT1210/mLFPAK
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BUK9M28-80EX BUK9M28-80EX Nexperia USA Inc. BUK9M28-80E.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 33A LFPAK33
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2275 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3369 Stücke:
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9+2.4 EUR
14+1.51 EUR
50+1.12 EUR
100+0.99 EUR
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BUK9M28-80EX BUK9M28-80EX NEXPERIA NEXP-S-A0003105744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9M28-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33 A, 0.02 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 2885 Stücke:
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73+3.45 EUR
151+1.55 EUR
185+1.17 EUR
210+1.02 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
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BUK9M28-80EX BUK9M28-80EX NEXPERIA NEXP-S-A0003105744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9M28-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33 A, 0.02 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 80V
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Dauer-Drainstrom Id: 33A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 2885 Stücke:
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100+3.45 EUR
151+1.55 EUR
185+1.17 EUR
210+1.02 EUR
500+0.81 EUR
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BUK9M28-80EX BUK9M28-80EX NEXPERIA BUK9M28-80E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23.1A; Idm: 131A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23.1A
Pulsed drain current: 131A
Power dissipation: 75W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 938 Stücke:
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BUK9M28-80EX
Hersteller: Nexperia
MOSFETs BUK9M28-80E/SOT1210/mLFPAK
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AnzahlPrivatkunde
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10+1.13 EUR
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BUK9M28-80EX BUK9M28-80E.pdf
BUK9M28-80EX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 33A LFPAK33
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2275 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
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BUK9M28-80EX NEXP-S-A0003105744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK9M28-80EX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M28-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33 A, 0.02 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
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151+1.55 EUR
185+1.17 EUR
210+1.02 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
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BUK9M28-80EX NEXP-S-A0003105744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK9M28-80EX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M28-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33 A, 0.02 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
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AnzahlPrivatkunde
100+3.45 EUR
151+1.55 EUR
185+1.17 EUR
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23.1A; Idm: 131A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23.1A
Pulsed drain current: 131A
Power dissipation: 75W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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